audiodiyers.hu

Régóta gondolkodtam egy olyan teszteren, amivel teljesítmény tranzisztorokat lehet kényelmesen válogatni a nyugalmi áram környezetében. Ez lett a kapcsolás:

A mérni szánt NPN tranzisztort az NC (kollektor), NB (bázis), Ne (emitter) pontokra kell kötni. A PNP-t pedig logikusan a "P"-s pontokra.
Működés: A műveleti erősítők az R13 illetve R14-es ellenálláson konstans feszültséget állítanak elő, amelyeknek nagysága a trimmerekkel állítható. A bázissal soros 100ohmos ellenállásokon eső feszültséget a J1 J2 csatlakozón lehet mérni, az erősítés ebből számolható.
Természetesen a mérést minél gyorsabban kell végrehajtani, hogy a melegedést kiküszöböljük.
A mérés paramétereit (4V körüli Uce) a Sanken által megadott értékre választottam. Az R13-14-en mérhető feszültség 0,5-1,5V között állítható, ezáltal 50-150mA között mérhetünk.

Sajti

Most vettem (még nem ért ide) 4 pár válogatott 2SK1530/2SJ201 -es MOSFET-et (rég kihaltak ugye), amelyre az eladó azt írta, hogy Ugs=3V -ra az Id=6,35A mindegyik esetben. (Más pontból nincs adata).
Nekem 0,8-1,2A-es az Id, mennyire várható, hogy egy kisebb Ugs mellett is jó lesz az együttfutás?

Szerintem biztos sokkal jobb lesz, mint válogatás nélküli példányoknál, (de példányonként nem csak a nyitófesz, hanem némileg a meredekség, és a hőfokfüggési tényező is szórhat...)
Én még ellenőrzésként néznék azért 1-1 kis áramú nyitófeszt is... (pl. labortáp 100mA áramgenerátoros kimenetére D-G összekötve mekkora feszültség áll be a kimeneten)
Az S~4...5A/V meredekségből és a I125°C~2×I25°C hőfokfüggés alapján kb. saccolható, hogy mekkora disszipáció különbség várható fetenként a szórásból (Kellő hűtési tartalékkal nem valószínű hogy pl. 20% nyugalmi áram eltérésből gond adódjon) ...szerintem, de én csak tippelek.